2.元器件选择与制作
VT采用V（BR）ceo≥60V、Icm≥0.8A的硅NPN三极管，如2SCl008型等，β≥50。VD1可用普通1N4148型等硅开关二极管，VD2要求采用反压大于1500V的快恢复二极管，如FRl08等。
RP用WSW型有机实芯微调电位器，R1为RTX—1kΩ/0.125w型碳膜电阻器，R2用RJ一1MΩ/1w型金属膜电阻器。C1为CD11-100μ/16V电解电容器，C2用1000pF/2kV的高压圆片电容器。
变压器T需要自制：用初始导磁率为1500或2000的EE20型磁芯，用配套的骨架绕制，先绕N1、N2，再绕N3。N1、N2用φ0.35mm漆包线分别绕10匝，中心抽头；N3用φ0.17mm高强度漆包线绕260匝。层间必须加绝缘胶带，以防止内部电压击穿打火。
由于电路工作电流较小，且线圈匝数又少，不存在磁饱和问题，所以磁芯装配时不需加气隙。在绕制与接线时，应注意绕组的同名端，即线圈始端(图中打“·”号端)，接线时同名端不可接反。磁芯绕好后，用胶带缠两圈固定。
x1～x4为4个接线柱，x1、x2用来接待测管，x3、X4则用来接万用表。
测试器的印制电路板如下图所示。印制电路板尺寸为50mm×30mm。电源G用5号电源两节，机盒外壳最好用有机玻璃板制作。调试时，在x3、x4接500型万用表的直流2500V档，闭合电源开关s，用小螺丝刀微调RP使万用表的读数在1200v左右。此时三极管VT的集电极电流约为200mA。如果电压只有100V左右，说明线圈同名端接反了，只要将绕组N3的两端头对调一下即可。
测量时，只要将待测管与x1、x2连接，在x3、x4端接好万用表，表的示数即为管子的反向击穿电压。用本装置楞以测量晶体二极管的反向击穿电压、晶体三极管的反向击穿电压。如：V（BR）ceo、V（BR）ceo等。
