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光控自动照明灯3,Light control switch
关键字：光控自动照明灯
光控自动照明灯3
之前介绍的光控自动照明灯都采用微触发单向可控硅作为主控回路，所以负载能力有限，灯泡功率一般应控制在100W以下，因此不适合用于大功率控制场合。本节介绍的光控自动照明灯则采用大电流双向可控硅作为主控回路，所以驱动功率较大，适合大功率控制场合。
电路原理
光控制自动照明灯的电路如图所示，电路由可控硅主回路、光控电子开关及电源电路等几部分组成。
电源电路由电容C1、C2和二极管VD1、VD2等组成，接通电源后，电容C2两端可获得12V左右直流电压，供光控电子开关电路使用。光控电子开关由三极管VT、光敏电阻器RG及电位器RP、电阻R2等元件组成。白天RG受到自然光线照射而呈低电阻，三极管VT基极为低电平，所以三极管VT与可控硅VS都处于截止状态，灯H不亮。夜幕来临，照射在RG的光线变弱，RG呈高电阻，使得VT基极电位上升，当升至0．7V左右时，VT导通，+12V电源就通过VT加至在可控硅VS的控制极G上，使VS迅速开通，电灯H就通电发光。调节电位器RP的阻值，可以改变电路的起控点，使电灯H在合适的光照度下点亮发光。
元器件选择与制作
VT可用9013型硅NPN三极管，β≥100。VD1选用12V、1／2W稳压二极管，如2CW60型等，VD2可用1N4004型等硅整流二极管。VS如选用BCR3AM耐压600V的双向可控硅，负载能力可达600W。如果电灯H总功率超过600W，可换用通态电流更大的双向可控硅，但此时应将电容C1的容量加大到1μF，以获取较大驱动电流，同时还需将稳压管VD1的功率由1／2W增至1W。
RP选用WSW型有机实芯微调电位器，R1、R2均用RJ—1／4W型金属膜电阻器，RG选用MG45型等非密封型光敏电阻器。C1要求采用CBB—400V型聚丙烯电容器，C2可用普通CD11—25V电解电容器。
下图是本机印制电路板图，印制电路板尺寸为50mm× 35mm。除灯泡外，其余所有电子元件均插焊在自制电路板上，可控硅VS应加装面积足够的铝质散热片。使用只需调整电位器RP，使电灯H在合适的光照度下能自动点亮发光即可。
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