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單閘極MOS FET 前置放大器
mos fet preamplifier

时间:2007-12-31 6:07:29 来源:未知 作者:未知 编辑: 【关闭


單閘極MOS FET 前置放大器,mos fet preamplifier

关键字:前置放大器,前置放大电路,MOST FET,2SK241

  VHF高頻放大電路以往都是以雙極電晶體(Bipolar Transistor)為主流,但是現在大都以FET取代之。
    圖2-1便是其代表性電路,2SK241(東芝)係VHF用的FET,功率增益可達28dB(@100MHz),是最適於VHF接收器的高頻放大級使用的。由於閘極的動作點是零偏壓(Zero Bias),所以電路的結構相當簡單,電路的全部元件共有六個,配合表2-1所示之電感及電容就能適用於各種頻率的高頻放大電路。洩極電流為9mA,在電源電壓為6-12V之範圍內,洩極電流都保持一定。

 


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